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      銦镓砷探測器DInGaAs係列

      • 產品型號：DInGaAs係列
      • 產品時間：2024-05-20
      • 簡要描述：常溫型銦镓砷探測器（InGaAs）
        ——室溫型近紅外探測器，使用範圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
        ● DInGaAs1600型內裝國產小麵積InGaAs元件；
        ● DInGaAs1650型內裝國產大麵積InGaAs元件；
      • 產品介紹

      常溫型銦镓砷探測器（InGaAs）

      ——室溫型近紅外探測器，使用範圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
      ● DInGaAs1600型內裝國產小麵積InGaAs元件；
      ● DInGaAs1650型內裝國產大麵積InGaAs元件；
      ● DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件；
      ● DInGaAs1700型內裝進口大麵積InGaAs元件；
      ● DInGaAs2600型內裝進口InGaAs元件
       
      型號列表及主要技術指標：
      型號/參數
      DInGaAs1600
      DInGaAs1650
      DInGaAs1700-R03M
      DInGaAs1700
      DInGaAs2600
      光敏麵直徑（mm）
      1.5
      5
      3
      5
      3
      波長範圍（nm）
      900-1600
      900-1650
      800-1700
      800-1700
      800-2600
      峰值響應度（A/W,  小）
      0.85
      0.85
      0.9
      0.95
      1.1
      暗電流（nA,  大）
      0.1
      200
      100
      10μA
      1mA
      D*（典型值）
      -
      -
      2.3×1012
      9.6×1011
      4.1×1010
      NEP（典型值）
      -
      -
      1.2×10-13
      2.8×10-13
      6.5×10-12
      阻抗（MΩ）
      30
      1
      1.5
      50kΩ
      320Ω
      電容（pF）
      80
      1500
      800
      -
      9000
      響應時間（ns）
      8
      160
      100
      300
      1μs
      信號輸出模式
      電流
      電流
      電流
      電流
      電流
      輸出信號性
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
       

      ■ TE製冷型銦镓砷探測器（InGaAs）
      ——TE製冷型近紅外探測器，波長範圍：0.8-2.6μm
             TE製冷型銦镓砷探測器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE製冷銦镓砷探測元件，小优视频官方下载響應曲線參考圖如下：
      型號列表及主要技術指標：
       
       型號/參數
      DInGaAs1700-TE
      DInGaAs1900-TE
      DInGaAs2200-TE
      DInGaAs2400-TE
      DInGaAs2600-TE
      光敏麵直徑（mm）
      3
      3
      3
      3
      3
      波長範圍（nm）
      800-1700
      800-1900
      800-2200
      800-2400
      800-2600
      峰值響應度（A/W）
      0.9
      1
      1.1
      1.15
      1.2
      D*（典型值）
      8.4×1013
      9.1×1012
      1.9×1012
      9.6×1011
      4.9×1011
      NEP（典型值）
      3.2×10-15
      2.9×10-14
      1.4×10-13
      2.8×10-13
      5.5×10-13
      溫控器型號
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      探測器溫度（℃）
      -40
      -40
      -40
      -40
      -40
      溫度穩定度（℃）
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      環境溫度（℃）
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      信號輸出模式
      電流
      電流
      電流
      電流
      電流
      輸出信號性
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      備注
      製冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）
      推薦使用前置放大器型號：ZPA-7
      銦镓砷探測器使用建議：
      ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZPA-7（Page85）做為前級放大並轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
      ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器配合DCS103數據采集係統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
      ● DInGaAs係列和DInGaAs-TE係列銦镓砷探測器配合DCS300PA數據采集係統（Page95）使用時，由於DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
      ● 製冷型DInGaAs-TE係列銦镓砷探測，在製冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控製；
       

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